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破解SiC、GaN柵極動態測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

  • SiC、GaN 作為最新一代功率半導體器件具有遠優于傳統 Si 器件的特性,能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統成本。但同時,SiC、GaN極快的開關速度也給工程師帶來了使用和測量的挑戰,稍有不慎就無法獲得正確的波形,從而嚴重影響到器件評估的準確、電路設計的性能和安全、項目完成的速度。SiC、GaN動態特性測量中,最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅動電壓VGS的測量,包括兩個部分:開關過程和Crosstalk。此時是無法使用無源探頭進行測量的,這會導致設備和人員危險,同時還會由
  • 關鍵字: SiC  GaN  柵極動態測試  光隔離探頭  

GaN Systems HD半橋雙極驅動開關評估板在貿澤開售

  • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起開始分銷GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅動開關評估板。這種緊湊的氮化鎵 (GaN) 增強模式 (e-mode) 半橋評估板性能優異,同時減少了組件總數,節省了寶貴的電路板空間。 貿澤電子分銷的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個HEY1011-L12C GaN FET驅動器和兩
  • 關鍵字: 貿澤電子  GaN  半橋雙極驅動開關  

Qorvo 助力簡化 GaN PA 偏置

  • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布推出 ACT41000-104-REF1,這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設計,可加強 Qorvo GaN PA 的設計與測試。GaN 器件是耗盡型 FET,運行時需要施加負柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統中,需要以特定的順序進行偏置:提高漏極偏置電壓之前,必須施加負柵極電壓,以保護器件免受損壞。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內置可配置
  • 關鍵字: GAN  PA  

學貫中西(8):從GAN領悟人機協同創新之道

  • 1 回顧:GAN里的兩個角色在上一期里,詳細介紹了 GAN( 生成對抗網 ) 里的 兩個角色:生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。 其中的生成者,又稱為創新者,而判別者又稱為鑒賞者。 在常見的圖像繪畫領域,其典型的協同創新模式是: G( 創新者 ) 負責創作圖片;而 D( 鑒賞者 ) 負責辨別一 張圖像的真或假,然后引領 G 逐步改進,止于完美逼 近目標。上述的 GAN 協同創新模式,屬于 AI 機器與機器之 間的協同合作或創新。然而,在 AI 科技不斷
  • 關鍵字: 202206  GAN  人機協同  

EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺

  • 宜普電源轉換公司(EPC)新推線上論壇,為工程師提供產品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術的應用現狀和發展趨勢。宜普電源轉換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇",為工程師提供產品信息和技術支持,從而了解氮化鎵(GaN)技術的應用現狀和發展趨勢。該論壇專為工程師、工程專業學生和所有氮化鎵技術愛好者而設,為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外,用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"鏈接參看所有之前的提問和反饋。此外,
  • 關鍵字: GaN  宜普  

毫米波技術需要高度線性、緊湊和高能效的寬帶產品

  • 5G 通信正在改變我們的生活,同時也在促進產業數字化轉型,為工業、汽車和消費電子等行業提供了巨大的應用想象空間與市場機會,例如實現創建人與機器人和諧共存的環境,高質量醫療,并且加速實現安全的自動駕駛汽車,等等?!?打造未來智能工廠——5G 無線網絡可以幫助工廠實現更高的可靠性,例如縮短延遲時間、提高生產效率。在人與機器人共存的世界里,更強的連接可以改善人機互動,并降低事故風險?!?提供高質量的醫療服務——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實施遠程監測,進行生命體征檢測,并將信息傳輸給基于云的診斷
  • 關鍵字: 202206  毫米波  5G  GAN  

第三代半導體引領5G基站技術全面升級

  • 5G 受到追捧是有充足的理由的。根據CCS Insight 的預測,到2023 年,5G 用戶數量將達10 億;2022 年底,5G蜂窩基礎設施將承載近15%的全球手機流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線性度是5G 基礎設施對射頻半導體器件的硬性要求。對于整個第三代半導體技術,尤其是氮化鎵(GaN),5G 開始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比,GaN 器件的開關頻率、輸出功率和工作溫度更高,適合1-110 GHz的高頻通信應用,涵蓋移動通信、無線網絡、點對點和點對多點微波通
  • 關鍵字: 202206  第三代半導體  GaN  

TI:運用GaN技術可提升數據中心的能源效率

  • 德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮,26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示,TI將協助客戶充分發揮氮化鎵(GaN)技術的潛力,以實現更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數據中心正在擴建 – 以氮化鎵技術實現更高效率」為題,分享設計工程師如何利用TI 氮化鎵技術為數據中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示,隨著各產業領導者期盼透過數據中心實現技術創新,從而也提高了運算能力的需求,TI希望協助客戶充分發揮氮化鎵技術的潛力,以實現更高的功率密度和效率。他也強調,
  • 關鍵字: TI  GaN  數據中心  能源效率  

射頻硅基氮化鎵:兩個世界的最佳選擇

  •   當世界繼續努力追求更高速的連接,并要求低延遲和高可靠性時,信息通信技術的能耗繼續飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關鍵應用上,還對能源效率和性能提出了限制。5G網絡性能目標對基礎半導體器件提出了一系列新的要求,增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求,提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規模MIMO(mMIMO)系統的推動下,基站無線電中的半導體器件數量急劇增加,移動網絡運營商在降低資本支出和運營支出方面面臨的壓力更加嚴峻。因此,限制設備成本和功耗對于高效5G網絡的安裝和
  • 關鍵字: 氮化鎵  GaN  

從手機快充到電動汽車,氮化鎵功率半導體潛力無限

  •   近期,蘋果“爆料大神”郭明錤透露,蘋果可能年某個時候推出下一款氮化鎵充電器,最高支持30W快充,同時采用新的外觀設計?! ∨c三星、小米、OPPO等廠商積極發力氮化鎵快充產品相比,蘋果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月,伴隨新款MacBook Pro的發布,蘋果推出了140W USB-C電源適配器(下圖),這是蘋果首款采用氮化鎵材料的充電器,售價729元。圖片來源:蘋果  如今,蘋果有望持續加碼氮化鎵充電器,氮化鎵功率半導體市場有望迎來高歌猛進式發展。手機等快充需求上升,氮化鎵功率市場規模將達1
  • 關鍵字: 氮化鎵  GaN  

氮化鎵 (GaN) 封裝的諸多挑戰

  • EETOP編譯整理自techinsights  在處理氮化鎵(GaN)時,與硅(Si)相比,還有兩個額外的考慮因素可以優化器件性能?! ∮捎贕aN/AlGaN異質結界面上的二維電子氣體(2DEG)通道,GaN具有快速開關的潛力?! 〉壍膶嵝韵鄬^差。(在300K時約1.3W/cm.K,而硅(Si)為1.49W/cm.K和碳化硅(SiC)為3.7W/cm.K)  雖然體積熱導率并不明顯低于硅,但請記住更高的電流密度-它被限制在異質結周圍的一個小區域。漸進式的改進  雖然不理想,但傳統的硅封裝可以而且已
  • 關鍵字: 氮化鎵  GaN  

氮化鎵集成方案如何提高功率密度

  •   氮化鎵(GaN)是電力電子行業的熱門話題,因為它可以使得80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車(EV)車載充電器和電動汽車(EV)充電站等設計得以實施。在許多具體應用中,由于GaN能夠驅動更高的功率密度和具有更高的效率,因此它取代了傳統的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實現的性能,使得使用GaN元件進行設計時,要面臨與硅元件截然不同的一系列挑戰?! aN場效應晶體管包括耗盡型(d-mode)、增強型(e-mode)、共源共柵型(cascode)等三種類型,并且每種都具有各自的
  • 關鍵字: 氮化鎵  GaN  

意法半導體發布50W GaN功率變換器,面向高能效消費及工業級電源設計

  • 意法半導體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關反激式功率變換器設計,并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管,使電源的能效和小型化達到更高水平。VIPerGaN50 采用單開關拓撲,集成很多功能,包括內置電流采樣和保護電路,采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內部集成的GaN 晶體管可應用于高開關頻率,從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產品設計先進的高能效開關電源 (SMPS),可顯著減少外圍元器件的數量。VIPerGaN50 可幫助設計人員利用 GaN 寬禁帶
  • 關鍵字: 意法半導體  GaN  功率變換器  

不只是充電器!99%的人不知道的事實:氮化鎵技術竟與5G 相關

  •   過去的2020年是5G手機大爆發的一年。5G手機無疑為大家帶來了更快的上網體驗,更快的下載速度、低延時,高達10Gps/s的理論峰值速率,比4G手機數據傳輸提升10倍以上,延時更是低至1ms,比4G手機縮短10倍?! ‘斎?,5G對數據傳輸速度提升,更強的CPU處理性能也對手機的續航能力提出了更高要求。為此,不少手機廠商為5G手機配備更大容量的電池,采用更高的充電功率,并在充電器上引進最新的氮化鎵技術,實現在提高充電器功率的同時,將體積控制得更小巧?! 《@里其實有一個有趣的事實:  這項為5G手機帶來
  • 關鍵字: 氮化鎵  GaN  

氮化鎵產業鏈全景深度解析

  • 根據阿里巴巴達摩院發布的《2021十大科技趨勢》預測的第一大趨勢是“以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體迎來應用大爆發”。達摩院指出,近年來第三代半導體的性價比優勢逐漸顯現,正在打開應用市場:SiC元件已用作汽車逆變器,GaN快速充電器也大量上市。半導體材料演進圖:資料來源:Yole, 國盛證券相對于第一代(硅基)半導體,第三代半導體禁帶寬度大,電導率高、熱導率高,其具有臨界擊穿電場高、電子遷移率高、頻率特性好等特點。氮化鎵(GaN)是最具代表性的第三代半導體材料,成為高溫、高頻、大功
  • 關鍵字: 氮化鎵  GaN  
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