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mosfet 文章 進入mosfet技術社區

Nexperia發布超小尺寸DFN MOSFET

  • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經提供采用該封裝的ESD保護器件,如今更進一步,Nexperia成功地將該封裝技術運用到MOSFET產品組合中,成為行業競爭的領跑者。該系列小型MOSFET包括: ?新一代可穿戴設備和可聽戴設備正在融入新的人工智能(AI)和機器學習(ML)技術,這為產品設計帶來了若干挑戰。首先,隨著功能的增加,可供使用的電路板空間變得十分寶貴,另外,隨著
  • 關鍵字: Nexperia  MOSFET  

豪威集團發布業內最低內阻雙N溝道MOSFET

  • 電源管理系統要實現高能源轉換效率、完善可靠的故障保護,離不開高性能的開關器件。近日,豪威集團全新推出兩款MOSFET:業內最低內阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。  WNMD2196A 超低Rss(ON),專為手機鋰電池保護設計近幾年,手機快充技術飛速發展,峰值充電功率屢創新高。在極大地緩解消費者電量焦慮的同時,高功率充電下的安全問題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護開關的作用,其本身對功率的損耗也必須足夠低才能
  • 關鍵字: 豪威集團  MOSFET  

分立式CoolSiC MOSFET的寄生導通行為研究

  • 米勒電容引起的寄生導通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點。為了避免這種效應,硬開關逆變器通常采用負柵極電壓關斷。但是,這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎?引言選擇適當的柵極電壓是設計所有柵極驅動電路的關鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術,設計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓,從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面,柵極關斷電壓僅需確保器件保持安全關斷即可。英飛凌鼓勵設計人員在0V下關斷分立式MOSFET,從而簡化柵極驅動電路。為此,本文介紹了
  • 關鍵字: 英飛凌   MOSFET  

具備出色穩定性的CoolSiC MOSFET M1H

  • 過去幾年,實際應用條件下的閾值電壓漂移(VGS(th))一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發現了動態工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現象,并提出了工作柵極電壓區域的建議,旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。引言過去幾年,實際應用條件下的閾值電壓漂移(VGS(th))一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發現了動態工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現象,并提出了工作柵極電壓區域的建議,旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。經過不斷研究和持續優化,現在,全新推出的CoolSiC? MO
  • 關鍵字: 英飛凌  MOSFET  

SiC設計干貨分享(一):SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討

  • 隨著制備技術的進步,在需求的不斷拉動下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車,可再生能源及儲能等應用領域的發展,更是不容小覷。富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業的技術服務,為客戶打造個性化的解決方案,并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域,富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗,落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考,并期待與您進一步的交流。作為系列文章的第一部分,本文將先就SiC
  • 關鍵字: 富昌電子  SiC  MOSFET  

東芝推出五款新型MOSFET柵極驅動IC,助力移動電子設備小型化

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅動IC產品中新增五款適用于可穿戴設備等移動電子設備的產品。該系列的新產品配備了過電壓鎖定功能,能根據輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
  • 關鍵字: MOSFET  柵極驅動  

當SiC MOSFET遇上2L-SRC

  • 導讀】事物皆有兩面:SiC MOSFET以更快的開關速度,相比IGBT可明顯降低器件開關損耗,提升系統效率和功率密度;但是高速的開關切換,也產生了更大的dv/dt和di/dt,對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰。應用痛點氫燃料系統中的高速空壓機控制器功率35kW上下,轉速高達10萬轉以上,輸出頻率可達2000Hz,調制頻率50kHz以上是常見的設計,SiC MOSFET是很好的解決方案。但是,SiC的高dv/dt和諧波會造成空壓機線包發熱和電機軸電流。一般的對策有二:1.采用大的柵
  • 關鍵字: 英飛凌  MOSFET  2L-SRC  

SiC MOSFET驅動電壓測試結果離譜的六大原因

  • _____開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一,由器件在開關過程中的驅動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試,而在電路設計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形,為了得到正確的結論,獲得精準的開關過程波形至關重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度,同時還能夠降低系統成本,受到廣大電源工程師的青睞,越來越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開關器件的一個重要區別是它
  • 關鍵字: Tektronix  SiC  MOSFET  

耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET

  • 在線性模式供電的電子系統中,功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器,電磁干擾 (EMI) 和系統總體成本是功率MOSFET的優勢所在。?在線性模式工作時,MOSFET必須在惡劣工作條件下工作,承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS),然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術要求才能提高耐用性,還必須符合熱管理限制,才能避免熱失控。?意法半導體 (ST) 推出了一款采用先進的 STPOWER STripFET F7制造技術和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
  • 關鍵字: 意法半導體  功率  MOSFET  耐用性  

常見MOSFET失效模式的分析與解決方法

  • 提高功率密度已經成為電源變換器的發展趨勢。為達到這個目標,需要提高開關頻率,從而降低功率損耗、系 統整體尺寸以及重量。對于當今的開關電源(SMPS)而言,具有高可靠性也是非常重要的。零電壓開關(ZVS) 或零電流開關(ZCS) 拓撲允許采用高頻開關技術,可以 大限度地降低開關損耗。ZVS拓撲允許工作在高頻開 關下,能夠改善效率,能夠降低應用的尺寸,還能夠降 低功率開關的應力,因此可以改善系統的可靠性。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優勢逐漸成為一種 主流拓撲。這種拓撲得到了廣泛的應用,包括高端服務
  • 關鍵字: MOSFET  

意法半導體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效

  • 意法半導體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低,可以極大程度提高功率密度,并有助于縮減系統尺寸。兩款產品的最大導通電阻(RDS(on)max)都處于同類領先水平,STP65N045M9 為 45mΩ,STP60N043DM9 為 43
  • 關鍵字: 意法半導體  MDmesh  MOSFET  

瑞能半導體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實現最佳效率

  • 2022年5月10日-12日,一年一度的PCIM Europe盛大開幕,作為全球領先的功率半導體供應商,瑞能半導體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs,第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復二極管 G5 FRD等多款旗艦產品重磅回歸PCIM Europe展會,全方位展示行業領先的技術、產品應用和解決方案,和諸多業內伙伴共話智能制造行業在全球范圍內的可持續發展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統及元器件展,是電力電子、智能運動、可再生能源和能源管理領域最具影響力的博
  • 關鍵字: SiC  MOSFET  瑞能半導體  PCIM Europe  

Nexperia推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產品組合

  • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia推出了用于自動化安全氣囊應用的專用MOSFET (ASFET)新產品組合,重點發布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V、13 mOhm導通內阻、邏輯控制電平MOSFET,應用于LFPAK33封裝。ASFET是專門為用于某一應用而設計并優化的MOSFET。此產品組合是Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網供電(PoE)應用提供的一系列ASFET中的最新產品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增強安全工作區(SOA)技術
  • 關鍵字: Nexperia  自動安全氣囊  MOSFET  

安森美推全球首款TOLL封裝碳化硅MOSFET 尺寸大幅縮小

  • 安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)在PCIM Europe展會發布全球首款To-Leadless(TOLL)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關組件迅速增長的需求。直到最近,SiC組件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。TOLL封裝的尺寸僅為9.90mm x 11.68mm,比D2PAK封裝的PCB面積節省30%。而且,它的外形只有2.30mm,比D2PAK封裝的體積小60%。除了更小尺寸之外,TOLL封裝還提供比D2PAK 7接
  • 關鍵字: 安森美  TOLL封裝  碳化硅  MOSFET  

英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片,以增強特性進一步提高系統能效

  • 英飛凌科技股份公司近日發布了一項全新的CoolSiC?技術,即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅(SiC)芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列,以及采用基于.XT互連技術的分立式封裝,具有非常廣泛的產品組合。M1H芯片具有很高的靈活性,適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統,如光伏逆變器。同時,這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統和其他工業應用的理想選擇。CoolSiC技術取得的最新進展使得柵極驅動電壓窗口明顯增大,從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時,隨著柵極運行
  • 關鍵字: SiC  太陽能  MOSFET  
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mosfet介紹

  金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]

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