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SiC FET的起源及其向著完美開關發展的歷程

  • 使用寬帶隙半導體作為高頻開關為實現更高的功率轉換效率提供了有力支持。一個示例是,碳化硅開關可以實施為SiC MOSFET或以共源共柵結構實施為SiC FET。本白皮書追溯了SiC FET的起源和發展,直至最新一代產品,并將其性能與替代技術進行了比較。白皮書當然,接近完美的電子開關已經存在很長一段時間了,但是我們這里要談的不是機械開關?,F代功率轉換依賴的是半導體開關,它們最好在打開時沒有電阻,在關閉時電阻和耐受電壓無限大,并能在簡單驅動下以任意快的速度在開關狀態間切換且沒有瞬時功率損耗。在這個重視能源與成本
  • 關鍵字: UnitedSiC  SiC  

破解SiC、GaN柵極動態測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

  • SiC、GaN 作為最新一代功率半導體器件具有遠優于傳統 Si 器件的特性,能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統成本。但同時,SiC、GaN極快的開關速度也給工程師帶來了使用和測量的挑戰,稍有不慎就無法獲得正確的波形,從而嚴重影響到器件評估的準確、電路設計的性能和安全、項目完成的速度。SiC、GaN動態特性測量中,最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅動電壓VGS的測量,包括兩個部分:開關過程和Crosstalk。此時是無法使用無源探頭進行測量的,這會導致設備和人員危險,同時還會由
  • 關鍵字: SiC  GaN  柵極動態測試  光隔離探頭  

仿真看世界之SiC單管并聯中的寄生導通問題

  • 這篇微信文章,其實構思已久。為了有所鋪墊,已在2020和2021發布了兩篇基礎篇。2022,讓我們再次聊聊在SiC單管并聯中的寄生導通問題。這篇微信文章,其實構思已久。為了有所鋪墊,已在2020和2021發布了兩篇基礎篇:●    2020《仿真看世界之SiC單管的寄生導通現象》●    2021《仿真看世界之SiC MOSFET單管并聯均流特性》2022,讓我們再次聊聊在SiC單管并聯中的寄生導通問題。特別提醒:仿真只是工具,仿真無法替代實驗,仿真只供參考。在展開
  • 關鍵字: 英飛凌  SiC  

安森美的VE-Trac SiC系列為電動車主驅逆變提供高能效、高功率密度和成本優勢

  • 雙碳目標正加速推進汽車向電動化發展,半導體技術的創新助力汽車從燃油車過渡到電動車,新一代半導體材料碳化硅(SiC)因獨特優勢將改變電動車的未來,如在關鍵的主驅逆變器中采用SiC可滿足更高功率和更低的能效、更遠續航、更小損耗和更低的重量,以及向800 V遷移的趨勢中更能發揮它的優勢,但面臨成本、封裝及技術成熟度等多方面挑戰。安森美(onsemi)提供領先的智能電源方案,在SiC領域有著深厚的歷史積淀,是世界上少數能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商之一,其創新的VE TracTM Direct SiC
  • 關鍵字: 安森美  SiC  逆變器  

CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強聯手開發高功率密度碳化硅(SiC)逆變器

  • 高溫半導體和功率模塊領域的領導者CISSOID宣布,公司已與NAC Group和Advanced Conversion(為要求嚴苛的應用提供高性能電容器的領導者)開展合作,以提供緊湊且優化集成的三相碳化硅(SiC)功率堆棧。該功率堆棧結合了CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR/ESL直流支撐(DC-Link)電容器,可進一步與控制器板和液體冷卻器集成,為電機驅動器的高功率密度和高效率SiC逆變器(見下圖)的設計提供完整的硬件和軟件平臺。CIS
  • 關鍵字: CISSOID  SiC  

安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設計挑戰

  • 隨著云計算、超大規模數據中心、5G應用和大型設備的不斷發展,市場對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位,且正在往小型化、高容量化、高效化發展,設計人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權衡取舍的挑戰,安森美(onsemi)基于新一代半導體材料碳化硅(SiC)的方案,有助于變革性地優化UPS設計。安森美是領先的智能電源方案供應商之一,也是全球少數能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商,提供先進的SiC、SiC/Si 混合和 IGBT 模塊技術,以及廣泛的分立器件、門極驅動器等周邊器件,滿足低
  • 關鍵字: 安森美  SiC  

SiC設計干貨分享(一):SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討

  • 隨著制備技術的進步,在需求的不斷拉動下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車,可再生能源及儲能等應用領域的發展,更是不容小覷。富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業的技術服務,為客戶打造個性化的解決方案,并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域,富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗,落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考,并期待與您進一步的交流。作為系列文章的第一部分,本文將先就SiC
  • 關鍵字: 富昌電子  SiC  MOSFET  

貿澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET,為各類電源應用提供更好的支持

  • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC(現已被Qorvo?收購)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產品,此第四代器件具有出色的導通電阻特性,適用于主流800V總線架構中的電源解決方案,如電動汽車車載充電器、工業電池充電器、工業電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。?貿澤電子分銷的UF4C/SC SiC FET為設計人員提供了
  • 關鍵字: SiC  FET  

SiC MOSFET驅動電壓測試結果離譜的六大原因

  • _____開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一,由器件在開關過程中的驅動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試,而在電路設計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形,為了得到正確的結論,獲得精準的開關過程波形至關重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度,同時還能夠降低系統成本,受到廣大電源工程師的青睞,越來越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開關器件的一個重要區別是它
  • 關鍵字: Tektronix  SiC  MOSFET  

UnitedSiC(現已被Qorvo收購)宣布推出行業先進的高性能1200V第四代SiC FET

  • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列,該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構,這種架構常見于電動汽車車載充電器、工業電池充電器、工業電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示:“我們通過
  • 關鍵字: Mentor P  Qorvo  SiC FET  

UnitedSiC(現已被 Qorvo收購)宣布推出行業先進的高性能 1200 V第四代SiC FET

  • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列,該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構,這種架構常見于電動汽車車載充電器、工業電池充電器、工業電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示:“我們通過
  • 關鍵字: SiC  FET  

瑞能半導體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實現最佳效率

  • 2022年5月10日-12日,一年一度的PCIM Europe盛大開幕,作為全球領先的功率半導體供應商,瑞能半導體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs,第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復二極管 G5 FRD等多款旗艦產品重磅回歸PCIM Europe展會,全方位展示行業領先的技術、產品應用和解決方案,和諸多業內伙伴共話智能制造行業在全球范圍內的可持續發展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統及元器件展,是電力電子、智能運動、可再生能源和能源管理領域最具影響力的博
  • 關鍵字: SiC  MOSFET  瑞能半導體  PCIM Europe  

UnitedSiC(現名Qorvo)宣布推出具有業界出眾品質因數的1200V第四代SiC FET

  • 2022年5月11日移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)場效應晶體管(FET)系列。
  • 關鍵字: UnitedSiC  Qorvo  SiC  碳化硅  場效應管  

Power Integrations推出汽車級IGBT/SiC模塊驅動器產品系列SCALE EV,為巴士、卡車以及建筑和農用電動汽車提供強大動力

  • 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門極驅動板。新款驅動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊,其應用范圍包括電動汽車、混合動力和燃料電池汽車(包括巴士和卡車)以及建筑、采礦和農用設備的大功率汽車和牽引逆變器。SCALE EV板級門極驅動器內部集成了兩個增強型門極驅動通道、相關供電電源和監控遙測電路。新驅動板已通過汽車級認證和ASIL B認證,可實現AS
  • 關鍵字: Power Integrations  IGBT  SiC  模塊驅動器  SCALE EV  PI  

英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片,以增強特性進一步提高系統能效

  • 英飛凌科技股份公司近日發布了一項全新的CoolSiC?技術,即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅(SiC)芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列,以及采用基于.XT互連技術的分立式封裝,具有非常廣泛的產品組合。M1H芯片具有很高的靈活性,適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統,如光伏逆變器。同時,這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統和其他工業應用的理想選擇。CoolSiC技術取得的最新進展使得柵極驅動電壓窗口明顯增大,從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時,隨著柵極運行
  • 關鍵字: SiC  太陽能  MOSFET  
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sic介紹

SiC是一種Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體材料,具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類:一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型,稱為3C或β-SiC,這里3指的是周期性次序中面的數目;另一類是六角型或菱形結構的大周期結構,其中典型的有6H、4H、15R等,統稱為α-SiC。與Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環境,并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細 ]

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